IPD06N03LA G
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IPD06N03LA G參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation04/Jun/2009
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓(Vdss)：25V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：50A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：5.7毫歐@30A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@40µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：22nC@5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：2653pF@15V
功率-最大值：83W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3